Samsung inizia la produzione delle DRAM LPDDR5 16 GB per smartphone

Samsung ha annunciato oggi di aver iniziato a produrre in serie le prime DRAM LPDDR5 da 16 gigabyte (GB) per smartphone di fascia alta di nuova generazione. Dopo la produzione di massa delle prime LPDDR5 da 12 GB avvenuta nel luglio 2019, si passa già al nuovo step a 16 GB.

Samsung inizia la produzione delle DRAM LPDDR5 16 GB per smartphone

La velocità di trasferimento dati per l’LPDDR5 da 16GB è di 5.500 megabit al secondo (Mb/s), circa 1,3 volte più veloce della precedente memoria mobile (LPDDR4X, 4266Mb/s). Rispetto a un chip LPDDR4X da 8 GB, la nuova DRAM mobile offre un risparmio energetico di oltre il 20 per cento, fornendo fino al doppio della capacità.

La DRAM mobile Samsung LPDDR5 da 16 GB è composta da otto chip da 12 gigabit (Gb) e quattro chip da 8Gb, che equipaggiano gli smartphone di fascia alta con il doppio della capacità DRAM che si trova oggi in molti laptop e PC da gioco di fascia alta.

Samsung continua ad espandere la produzione di LPDDR5 mobile DRAM presso la sua sede di Pyeongtaek, l’azienda prevede di produrre in serie LPDDR5 da 16Gb basati sulla tecnologia di processo di terza generazione di classe 10nm (1z) nella seconda metà di quest’anno, in linea con lo sviluppo di un chipset da 6.400Mb/s.

Samsung Mobile DRAM Timeline:

  • Dicembre 2019 16GB 10nm classe 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s
  • Settembre 2019 12GB 10nm classe 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
  • Luglio 2019 12GB 10nm classe 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
  • Giugno 2019 6GB 10nm classe 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
  • Febbraio 2019 12GB 12GB 10nm classe 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
  • Luglio 2018 8GB 10nm classe 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
  • Aprile 2018 8GB 10nm classe 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
  • Settembre 2016 8GB 10nm classe 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
  • Agosto 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
  • Dicembre 2014 4GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
  • Settembre 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
  • Novembre 2013 3GB 20nm classe 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
  • Luglio 2013 3GB 20nm classe 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
  • Aprile 2013 2GB 20nm classe 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
  • Agosto 2012 2GB 30nm classe 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
  • 2011 1/2GB classe 30nm 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
  • 2010 512MB 40nm classe 2Gb MDDR, 400Mb/s
  • 2009 256MB 50nm classe 1Gb MDDR, 400Mb/s