Samsung ha iniziato a produrre in serie la mobile DRAM da 12 GB

Samsung ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie la mobile DRAM da 12 GB, a doppia velocità 4X (LPDDR4X).

La nuova mobile DRAM da 12 GB ha una capacità maggiore rispetto alla maggior parte dei notebook.

“Con la produzione di massa del nuovo LPDDR4X, Samsung offre ora una gamma completa di memorie per alimentare la nuova era degli smartphone, da DRD da 12 GB a storage EUFS 3.0 da 512 GB. Inoltre, con LPDDR4X, stiamo rafforzando la nostra posizione come produttore di memorie mobili di fascia alta in grado di soddisfare la domanda in rapida crescita dei produttori di smartphone globali.”

Sewon Chun, vicepresidente esecutivo di Memory Marketing

Grazie alla mobile DRAM da 12 GB, i produttori di smartphone possono aumentare il potenziale dei dispositivi che dispongono di più di cinque telecamere e dimensioni di display sempre più elevate, oltre a funzionalità di intelligenza artificiale e 5G.

Per noi che acquistiamo smartphone, la mobile DRAM da 12 GB consente un multitasking più fluido e ricerche più veloci mentre navigano attraverso una miriade di app su schermi ultra-grandi ad alta risoluzione. Inoltre, lo spessore di 1,1 millimetri consente anche più libertà di progettazione.

La capacità di 12 GB è stata ottenuta combinando sei chip LPDDR4X da 16 GB basati sul processo di seconda generazione a 10 nm (1 nm) in un unico pacchetto, fornendo più spazio per la batteria dello smartphone. Inoltre, utilizzando la tecnologia 1y-nm dell’azienda, la nuova memoria mobile da 12 GB offre una velocità di trasferimento dati di 34.1 GB al secondo, riducendo al minimo l’aumento del consumo energetico inevitabilmente causato da un aumento della capacità DRAM.

Di seguito la storia delle memorie RAM di Samsung per dispositivi mobile:

DataCapacitàDRAM mobile
Febbraio 201912GB1y-nm 16 GB LPDDR4X, 4266 Mb / s
Luglio 20188GB1y-nm 16 GB LPDDR4X, 4266 Mb / s
Aprile 20188 GB (sviluppo)1x-nm 8 GB LPDDR5, 6400 Mb / s
Settembre 20168GB1x-nm 16 GB LPDDR4X, 4266 Mb / s
Agosto 20156GB20nm (2z) 12 GB LPDDR4, 4266 Mb / s
Dicembre 20144GB20nm (2z) 8 GB LPDDR4, 3200 Mb / s
Settembre 20143GB20nm (2z) 6 GB LPDDR3, 2133 Mb / s
Novembre 20133GB2y-nm 6 GB LPDDR3, 2133 Mb / s
luglio 20133GB2y-nm 4 GB LPDDR3, 2133 Mb / s
Aprile 20132GB2y-nm 4 GB LPDDR3, 2133 Mb / s
Agosto 20122GB30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb / s
20111 / 2GB30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb / s
2010512MBMDDR da 2 GB in classe 40 nm, 400 Mb / s
2009256MBMDDR da 50 nm a classe 1 Gb, 400 Mb / s

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